供应 场效应管 TPC8035-H,TPC8028
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TPC8028 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
Absolute Maximum Ratings
| Characteristics | Symbol | Rating | Unit |
|---|---|---|---|
| Drain current | ID | 18 | A |
| Drain power dissipation | PD | 1.9 | W |
| Drain-Source voltage | VDSS | 30 | V |
Electrical Characteristics
| Characteristics | Symbol | Condition | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| Total gate charge (Typ.) | Qg | - | 45 | nC |
| Drain-Source on-resistance (Max) | RDS(ON) | |VGS|=4.5V | 0.008 | Ω |
| Drain-Source on-resistance (Max) | RDS(ON) | |VGS|=10V | 0.0043 | Ω |
产品型号:TPC8028,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.0043Ω
封装:SOP-8
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):18
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0043 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):1.9
输入电容Ciss(PF):1800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：40
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):84
导通延迟时间Td(on)(ns):26 typ.
上升时间Tr(ns):14 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):54 typ.
下降时间Tf(ns):19 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPC8028,30V,18A,0.0043Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
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供应 500V 场效应管 CMH20N50 20N50
信息内容：产品型号:CMH20N50 应用: 开关稳压器 UPS（不间断电源） DC-DC转换器 封装:TO-247 品牌：CMOSFET 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):280 输入电容Ciss(PF):2500 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：24 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):860 导通延迟时间Td(on)(ns):88 typ. 上升时间Tr(ns):270 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):105 typ. 下降时间Tf(ns):117 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:CMH20N50,500V,20A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP4419GJ 4419GJ
信息内容：产品型号:AP4419GJ,TO-251,DIP/MOS,P场,-35V,-25A,0.038Ω P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 描述: 该TO-252包装普遍的所有商业，工业表面贴装应用，适合于低电压应用，如DC/ DC转换器。通 孔版本（AP4419GJ）可用于低配置应用程序。 特点: * 低导通电阻 * 简单的驱动器要求 * 快速开关特性 * 符合RoHS标准 封装:TO-251 品牌：AP/富鼎 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-35 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-25 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0038 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-3 功率PD(W):34.7 输入电容Ciss(PF):700 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：14 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ. 下降时间Tf(ns):56 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:AP4419GJ,-35V,-25A,0.038Ω P-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压Ｉ...
