供应 500V 场效应管 CMH20N50 20N50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CMH20N50 | |
| 品牌/商标： | CMOSFET | |
| 封装形式： | TO-247 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
产品型号:CMH20N50
应用:
开关稳压器
UPS（不间断电源）
DC-DC转换器
封装:TO-247
品牌：CMOSFET
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):280
输入电容Ciss(PF):2500 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：24
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):860
导通延迟时间Td(on)(ns):88 typ.
上升时间Tr(ns):270 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):105 typ.
下降时间Tf(ns):117 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:CMH20N50,500V,20A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP4419GJ 4419GJ
信息内容：产品型号:AP4419GJ,TO-251,DIP/MOS,P场,-35V,-25A,0.038Ω P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 描述: 该TO-252包装普遍的所有商业，工业表面贴装应用，适合于低电压应用，如DC/ DC转换器。通 孔版本（AP4419GJ）可用于低配置应用程序。 特点: * 低导通电阻 * 简单的驱动器要求 * 快速开关特性 * 符合RoHS标准 封装:TO-251 品牌：AP/富鼎 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-35 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-25 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0038 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-3 功率PD(W):34.7 输入电容Ciss(PF):700 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：14 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ. 下降时间Tf(ns):56 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:AP4419GJ,-35V,-25A,0.038Ω P-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压Ｉ...
供应 场效应管 TPC8114 TPC8123
信息内容：产品型号:TPC8114,SOP-8,SMD/MOS,P场,-30V,-18A,0.0045Ω 应用: * Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用 * Notebook PC Applications/笔记本电脑应用 * Portable Equipment Applications/便携式设备的应用 特点: * 超薄小体积封装 * 高速开关 * 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 3.1 mΩ (typ.) * 高正向转移导纳: |Yfs| = 47 S (typ.) * 低漏电流: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -30 V) * 增强模式: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = ?1 mA) 封装:SOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2 功率PD(W):1.9 输入电容Ciss(PF):2270 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：47 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):211 导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ. 上升时间Tr(ns):25 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):625 typ. 下降时间Tf(ns):235 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPC8114,-30V,-18A,0.0045Ω P-沟道增强...
