供应 场效应管 TPC8114 TPC8123
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TPC8114 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:TPC8114,SOP-8,SMD/MOS,P场,-30V,-18A,0.0045Ω
应用:
* Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用
* Notebook PC Applications/笔记本电脑应用
* Portable Equipment Applications/便携式设备的应用
特点:
* 超薄小体积封装
* 高速开关
* 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 3.1 mΩ (typ.)
* 高正向转移导纳: |Yfs| = 47 S (typ.)
* 低漏电流: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -30 V)
* 增强模式: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = ?1 mA)
封装:SOP-8
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-18
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2
功率PD(W):1.9
输入电容Ciss(PF):2270 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：47
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):211
导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ.
上升时间Tr(ns):25 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):625 typ.
下降时间Tf(ns):235 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPC8114,-30V,-18A,0.0045Ω P-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 NCE6020L NCE6020I NCE6050I
信息内容：产品型号:NCE6020L,TO-251,DIP/MOS,N场,60V ,20A,0.045Ω 应用: * 电源开关应用 * 硬开关和高频电路 * 不间断电源 特点: * VDS =60V,ID =20A RDS(ON) <45mΩ @ VGS=10V * 高密度电池设计超低导通电阻 * 特征雪崩电压和电流 * 良好的稳定性和均匀性，高EAS * 良好的散热性能的包装 * 特殊工艺技术，高ESD能力 封装:TO-251 品牌：NCEPOWER 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.045 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):500 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：11 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):72 导通延迟时间Td(on)(ns):5 typ. 上升时间Tr(ns):2.6 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16.1 typ. 下降时间Tf(ns):2.3 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:NCE6020L,60V ,20A,0.045Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三...
供应 场效应管 TPC8032-H,NCE3010S
信息内容：产品型号:TPC8032-H 应用: * 高效率DC/ DC转换器应用 * 笔记本电脑应用 * 便携式设备的应用 特点: * 超薄小体积封装 * 高速开关 * 小栅极电荷: QSW = 8.4 nC (typ.) * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 5.0 mΩ (typ.) * 高正向转移导纳: |Yfs| = 60 S (typ.) * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * 增强模式: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 封装:SOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):15 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):1.9 输入电容Ciss(PF):2270 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：60 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):146 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):4 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):37 typ. 下降时间Tf(ns):11 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPC8032-H,30V,15A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福...
