供应 场效应管 NCE6020L NCE6020I NCE6050I
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | NCE6020L | |
| 品牌/商标： | NCEPOWER/无锡新洁能 | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
产品型号:NCE6020L,TO-251,DIP/MOS,N场,60V ,20A,0.045Ω
应用:
* 电源开关应用
* 硬开关和高频电路
* 不间断电源
特点:
* VDS =60V,ID =20A
RDS(ON) <45mΩ @ VGS=10V
* 高密度电池设计超低导通电阻
* 特征雪崩电压和电流
* 良好的稳定性和均匀性，高EAS
* 良好的散热性能的包装
* 特殊工艺技术，高ESD能力
封装:TO-251
品牌：NCEPOWER
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.045 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):500 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：11
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):72
导通延迟时间Td(on)(ns):5 typ.
上升时间Tr(ns):2.6 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):16.1 typ.
下降时间Tf(ns):2.3 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:NCE6020L,60V ,20A,0.045Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TPC8032-H,NCE3010S
信息内容：产品型号:TPC8032-H 应用: * 高效率DC/ DC转换器应用 * 笔记本电脑应用 * 便携式设备的应用 特点: * 超薄小体积封装 * 高速开关 * 小栅极电荷: QSW = 8.4 nC (typ.) * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 5.0 mΩ (typ.) * 高正向转移导纳: |Yfs| = 60 S (typ.) * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * 增强模式: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 封装:SOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):15 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):1.9 输入电容Ciss(PF):2270 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：60 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):146 导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ. 上升时间Tr(ns):4 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):37 typ. 下降时间Tf(ns):11 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPC8032-H,30V,15A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福...
供应 场效应管 TPC8213-H TPC8218-H
信息内容：产品型号:TPC8218-H,SOP-8,SMD/MOS,双N,60/60V,3.8/3.8A,0.057Ω 应用: * Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用 * Notebook PC Applications/笔记本电脑应用 * Portable Equipment Applications/便携式设备的应用 特点: * 超薄小体积封装 * 高速开关 * 小栅极电荷: QSW = 2.6 nC (typ.) * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 38 mΩ (typ.) * 高正向转移导纳: |Yfs| = 12 S (typ.) * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) * 增强模式: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA) 封装:SOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):3.8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.057 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):1.5/0.75 输入电容Ciss(PF):640 typ. 通道极性:双N沟道 低频跨导gFS(s)：12 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):10 导通延迟时间Td(on)(ns):6.7 typ. 上升时间Tr(ns):1.8 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):18 typ. 下降时间Tf(ns):1.8 typ. 温度(℃): -55 ~150 ...
