价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AP4419GJ | |
品牌/商标: | AP/富鼎 | |
封装形式: | TO-251 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 |
产品型号:AP4419GJ,TO-251,DIP/MOS,P场,-35V,-25A,0.038Ω
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
描述:
该TO-252包装普遍的所有商业,工业表面贴装应用,适合于低电压应用,如DC/ DC转换器。通
孔版本(AP4419GJ)可用于低配置应用程序。
特点:
* 低导通电阻
* 简单的驱动器要求
* 快速开关特性
* 符合RoHS标准
封装:TO-251
品牌:AP/富鼎
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-35
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-25
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0038 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-3
功率PD(W):34.7
输入电容Ciss(PF):700 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s):14
导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ.
下降时间Tf(ns):56 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:AP4419GJ,-35V,-25A,0.038Ω P-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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产品型号:TPC8114,SOP-8,SMD/MOS,P场,-30V,-18A,0.0045Ω 应用: * Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用 * Notebook PC Applications/笔记本电脑应用 * Portable Equipment Applications/便携式设备的应用 特点: * 超薄小体积封装 * 高速开关 * 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 3.1 mΩ (typ.) * 高正向转移导纳: |Yfs| = 47 S (typ.) * 低漏电流: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -30 V) * 增强模式: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = ?1 mA) 封装:SOP-8 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2 功率PD(W):1.9 输入电容Ciss(PF):2270 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s):47 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):211 导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ. 上升时间Tr(ns):25 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):625 typ. 下降时间Tf(ns):235 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPC8114,-30V,-18A,0.0045Ω P-沟道增强...
产品型号:NCE6020L,TO-251,DIP/MOS,N场,60V ,20A,0.045Ω 应用: * 电源开关应用 * 硬开关和高频电路 * 不间断电源 特点: * VDS =60V,ID =20A RDS(ON) <45mΩ @ VGS=10V * 高密度电池设计超低导通电阻 * 特征雪崩电压和电流 * 良好的稳定性和均匀性,高EAS * 良好的散热性能的包装 * 特殊工艺技术,高ESD能力 封装:TO-251 品牌:NCEPOWER 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.045 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):500 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):11 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):72 导通延迟时间Td(on)(ns):5 typ. 上升时间Tr(ns):2.6 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16.1 typ. 下降时间Tf(ns):2.3 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:NCE6020L,60V ,20A,0.045Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三...