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供应 场效应管 AP40T03GH 40T03GH

价 格: 面议
型号/规格:AP40T03GH
品牌/商标:AP/富鼎
封装形式:SOT-252
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:3000/盘

产品型号:AP40T03GH
特点
 * 简单的驱动要求
 * 低栅极电荷
 * 快速切换
 * 符合RoHS

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±25

漏极电流Id(A):28

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):31.25

输入电容Ciss(PF):655 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):20

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250

导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.

上升时间Tr(ns):62 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.

下降时间Tf(ns):4.4 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管


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深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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信息内容:

产品型号:LZP80N06 Features/特点: * Avalanche Rugged Technology/坚固的雪崩技术 * Rugged Gate Oxide Technology/坚固的门栅氧化层技术 * High di/dt Capability/高di/dt的能力 * Improved Gate Charge/改进的栅极电荷 * Wide Expanded Safe Operating Area/宽扩展安全工作区 Application/应用: * UPS * Car Inverter/车载逆变器 * E-bike/电动自行车 * SMPS 封装:TO-220 品牌:LITEON/光宝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):300 输入电容Ciss(PF):3960 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):4.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):900 导通延迟时间Td(on)(ns):47 typ. 上升时间Tr(ns):185 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):250 typ. 下降时间Tf(ns):130 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:LZP80N06P,60V ,80A,0.01ΩA N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地...

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深圳市金城微零件有限公司现经销国内外多家名厂产品,经营各种三极管、场效应管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,主要应用于开关电源(如:充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯等)电脑板卡(超小内阻、小体积大体积各种各样场效应管、低压差稳压)、玩具遥控飞机、遥控船等.低压差稳压,为你延长电池使用时间,场效应为你解决压降温升等等问题. 我们将一如既往以“高品质、低价格、一流的技术和一流的服务”为宗旨,为广大厂商提供更优良的服务. 在新世纪,成功更依靠电子科技和信息.深圳市金城微零件有限公司以“创优势,求发展”的概念,诚意欢迎各位同行、有志之仕加入合作,本着互助互利的目标共创新优势. 双P场效应管: AO4801,AO4803,AO4805L,AO4807,AO4813,AO4815,FDS4935A,FDS4953,NCE4953,FDS6975 AO7801,FDG6304P,FDG6318P,FDG6320P,AO6801,AO6801L,AO8801L,AO8803L dzsc/19/4397/19439785.jpg

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