价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AP40T03GH | |
品牌/商标: | AP/富鼎 | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 3000/盘 |
产品型号:AP40T03GH
特点
* 简单的驱动要求
* 低栅极电荷
* 快速切换
* 符合RoHS
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):28
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):31.25
输入电容Ciss(PF):655 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):20
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250
导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.
上升时间Tr(ns):62 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.
下降时间Tf(ns):4.4 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管
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产品型号:LZP80N06 Features/特点: * Avalanche Rugged Technology/坚固的雪崩技术 * Rugged Gate Oxide Technology/坚固的门栅氧化层技术 * High di/dt Capability/高di/dt的能力 * Improved Gate Charge/改进的栅极电荷 * Wide Expanded Safe Operating Area/宽扩展安全工作区 Application/应用: * UPS * Car Inverter/车载逆变器 * E-bike/电动自行车 * SMPS 封装:TO-220 品牌:LITEON/光宝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):300 输入电容Ciss(PF):3960 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):4.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):900 导通延迟时间Td(on)(ns):47 typ. 上升时间Tr(ns):185 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):250 typ. 下降时间Tf(ns):130 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:LZP80N06P,60V ,80A,0.01ΩA N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地...
深圳市金城微零件有限公司现经销国内外多家名厂产品,经营各种三极管、场效应管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,主要应用于开关电源(如:充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯等)电脑板卡(超小内阻、小体积大体积各种各样场效应管、低压差稳压)、玩具遥控飞机、遥控船等.低压差稳压,为你延长电池使用时间,场效应为你解决压降温升等等问题. 我们将一如既往以“高品质、低价格、一流的技术和一流的服务”为宗旨,为广大厂商提供更优良的服务. 在新世纪,成功更依靠电子科技和信息.深圳市金城微零件有限公司以“创优势,求发展”的概念,诚意欢迎各位同行、有志之仕加入合作,本着互助互利的目标共创新优势. 双P场效应管: AO4801,AO4803,AO4805L,AO4807,AO4813,AO4815,FDS4935A,FDS4953,NCE4953,FDS6975 AO7801,FDG6304P,FDG6318P,FDG6320P,AO6801,AO6801L,AO8801L,AO8803L dzsc/19/4397/19439785.jpg