供应 场效应管 FDPF10N50FT 10N50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDPF10N50FT | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:FDPF10N50FT 500V N-Channel MOSFET
封装:TO-220F
品牌：FAIRCHILD/仙童
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):9
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):42
输入电容Ciss(PF):880 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：8.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):364
导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ.
下降时间Tf(ns):30 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:FDPF10N50FT,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,9A,0.85Ω N-沟道增强型场效应晶体管
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology.
This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance,and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switching mode power supplies and active power factor correction.
特点：
* RDS(on) = 0.71Ω ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 4.5A
* Low Gate Charge ( Typ. 18nC)
* Low Crss ( Typ. 10pF)
* Fast Switching
* 100% Avalanche Tested
* Improved dv/dt Capability
* RoHS Compliant
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 BXL4001
信息内容：BXL4001,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,85A,0.0124Ω 产品型号:BXL4001 通用开关设备应用 封装:TO-220 品牌：SANYO/三洋 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):85 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0124 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):75 输入电容Ciss(PF):6700 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：75 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):211 导通延迟时间Td(on)(ns):75 typ. 上升时间Tr(ns):340 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):260 typ. 下降时间Tf(ns):170 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:BXL4001 75V,85A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 APM2054NUC-TR APM2054NU
信息内容：产品型号:APM2054NUC-TR N-Channel Enhancement Mode MOSFET 应用 * Power Management in Desktop Computer or 平板电脑的电源管理 * DC/DC Converters/DC/ DC转换器 Features/特点： * 20V/20A,RDS(ON)=35mW (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=45mW (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=110mW (typ.) @ VGS=2.5V * 超级高密度电池设计 * 可靠耐用的 * 无铅（符合RoHS) 封装:SOT-252 品牌：茂达 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±16 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.04 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):450 typ. 通道极性:N沟道 导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ. 上升时间Tr(ns):15 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ. 下降时间Tf(ns):6 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:APM2054NUC-TR,20V,20A,0.04Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、...
