供应 场效应管 SSM6P36FE SSM6P16FE SSM6P15FE
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6P36FE | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-563-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 4000/盘 |
SSM6P36FE,SOT-563(1.6*1.6),SMD/MOS,双P,-20V,-0.33A,1.31Ω,带ESD二极静电保护
产品型号:SSM6P36FE
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
应用:
* Power Management Switches/电源管理开关
特点：
* 1.5-V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 3.60 Ω (max) (@VGS = -1.5 V)
：Ron = 2.70 Ω (max) (@VGS = -1.8 V)
：Ron = 1.60 Ω (max) (@VGS = -2.8 V)
：Ron = 1.31 Ω (max) (@VGS = -4.5 V)
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-0.33
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.31 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):43 typ.
通道极性:双P
低频跨导gFS(ms)：190
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):90 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):200 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6P36FE,-20V,-0.33A 双P-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM6N55NU
信息内容：SSM6N55NU,UDFN6,SMD/MOS,双N,30V,4A,0.045Ω，带二极静电保护 MOSFETs Silicon N-Channel MOS 应用: * Power Management Switches/电源管理开关 * DC-DC Converters/DC-DC转换器 特点： * 4.5V的栅极驱动电压。 * 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 46 mΩ (max) (@VGS = 10 V) : RDS(ON) = 64 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 产品型号:SSM6N55NU 封装:UDFN6 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 @VGS =10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):280 typ. 通道极性:双N沟道 低频跨导gFS(s)：6.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6N55NU,30V,4A 双N-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/19/4367/19436794.jpg 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三...
供应 场效应管 SSM6N37FE SSM6N44FE SSM6N15FE
信息内容：新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416 SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6 等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装，现货供应，欢迎咨询。 SSM6N15FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω SSM6N37FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.25A,2.2Ω SSM6N44FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω 产品型号:SSM6N15FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 * 模拟开关应用 特点： * 小封装 * 低导通电阻：Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) 封装:SOT-563 品牌：TOSHIBA/东芝 通道极性:双N沟道 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30V 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):7.8 typ. 低频跨导gFS(ms)：25 导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ. 关断延迟时...
