供应 场效应管 KMB075N75P,KMB075N75P-U/P,KMB075N75
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | KMB075N75P-U/P | |
| 品牌/商标： | KEC | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 功率特征： | 中功率 |
产品型号:KMB075N75P-U/P
概述
这的平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑和开关式电源供应器。
特点:
* VDSS =75V，ID =75A
* 漏源导通电阻RDS(ON)=0.017@ VGS = 10V
* QG（TYP.）=85nC
* 改进的dv/dt容量，高耐用性
* 结温范围（175）
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):190
输入电容Ciss(PF):3000 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1350
导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ.
上升时间Tr(ns):300 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.
下降时间Tf(ns):180 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:75V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
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供应 场效应管 2SJ380,J380
信息内容：金城微零件，场效应系列 大量现货供应P Channel MOSFET/P沟通场效应管,品牌SANYO/三洋、TOSHIBA/东芝等原装货，应用于通用开关设备，继电器驱动器，DC-DC转换器和电机驱动器，特点：低导通电阻，4V驱动器，超高速开关，增强模式，雪崩性能强。 2SJ380,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-12A,0.21Ω 产品型号:2SJ380 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-π-MOSV) 应用:继电器驱动器，DC-DC转换器和电机驱动器 特点： * 4V 栅极驱动器 * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 0.15 Ω (typ.) * 高正向转移导纳: |Yfs| = 7.7 S (typ.) * 低漏电流: IDSS = -100 μA (max) (VDS = -100 V) * 增强模式: Vth = -0.8～-2.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA) 封装:TO-220F 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.21 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):1100 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：7.7 单脉冲雪崩能量...
供应 场效应管 TK30A06J3A K30A06J3A
信息内容：TK30A06J3A,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,30A,0.026Ω 产品型号:TK30A06J3A 封装:TO-220F 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.026 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):25 输入电容Ciss(PF):1950 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：34 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):40 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):4 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):36 typ. 下降时间Tf(ns):48 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TK30A06J3A 60V,30A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 企业网站:http://www.chinajincheng.com 企业Q Q:4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
