供应 场效应管 CEP3205
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEP3205,TO-220,DIP/MOS,N场,55V,108.5A,0.0085Ω | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEP3205
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):108.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0085
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):200
极间电容Ciss(PF):
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:55V, 108.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEP93A3 , 93A3
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP93A3 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):150 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.003 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):120 极间电容Ciss(PF):4100 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:30V, 150A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供应 场效应管 CEP840G , CEP840
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP840G 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):125 极间电容Ciss(PF):1240 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:500V, 8A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
