供应 场效应管 CEP93A3 , 93A3
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEP93A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,150A,0.003Ω | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEP93A3
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):150
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.003
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):120
极间电容Ciss(PF):4100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:30V, 150A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEP840G , CEP840
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP840G 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):125 极间电容Ciss(PF):1240 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:500V, 8A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供应 场效应管 BSC886N03LSG,886N03LS,BSC886N03
信息内容：产品型号:BSC886N03LSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):20 漏极电流Id(A):65 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):39 极间电容Ciss(PF):1600 typ. 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：65 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,65A, OptiMOS Power-Transistor
