供应 场效应管 BSC886N03LSG,886N03LS,BSC886N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC886N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,65A,0.006Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC886N03LSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):20
漏极电流Id(A):65
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):39
极间电容Ciss(PF):1600 typ.
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：65
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,65A, OptiMOS Power-Transistor
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 BSC032N03SG,BSC032N03,32N03S
信息内容：产品型号:BSC032N03SG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):550 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0032 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):78 极间电容Ciss(PF):3820 typ. 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：113 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,100A, OptiMOS Power-Transistor
供应 场效应管 BSC093N04LSG,093N04LS,BSC093N04
信息内容：产品型号:BSC093N04LSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):10 漏极电流Id(A):49 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0093 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):1400 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：67 温度(℃): -55 ~150 描述:40V,49A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET Features ? Fast switching MOSFET for SMPS ? Optimized technology for DC/DC converters ? Qualified according to JEDEC for target applications ? N-channel ? Logic level ? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? Superior thermal resistance ? 100% Avalanche tested ? Pb-free plating; RoHS compliant
