供应 场效应管 BSC032N03SG,BSC032N03,32N03S
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC032N03SG | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC032N03SG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):550
漏极电流Id(A):100
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0032 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):78
极间电容Ciss(PF):3820 typ.
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：113
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,100A, OptiMOS Power-Transistor
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC093N04LSG,093N04LS,BSC093N04
信息内容：产品型号:BSC093N04LSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):10 漏极电流Id(A):49 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0093 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):1400 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：67 温度(℃): -55 ~150 描述:40V,49A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET Features ? Fast switching MOSFET for SMPS ? Optimized technology for DC/DC converters ? Qualified according to JEDEC for target applications ? N-channel ? Logic level ? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? Superior thermal resistance ? 100% Avalanche tested ? Pb-free plating; RoHS compliant
供应 场效应管 BSC196N10NSG,196N10NS,BSC196N10
信息内容：产品型号:BSC196N10NSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):60 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0196 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):78 极间电容Ciss(PF):1700 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：48 温度(℃): -55 ~150 描述:100V,45A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
