供应 场效应管 BSC093N04LSG,093N04LS,BSC093N04
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC093N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,49A. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC093N04LSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):10
漏极电流Id(A):49
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0093 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):1400
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：67
温度(℃): -55 ~150
描述:40V,49A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
Features
? Fast switching MOSFET for SMPS
? Optimized technology for DC/DC converters
? Qualified according to JEDEC for target applications
? N-channel
? Logic level
? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
? Very low on-resistance RDS(on)
? Superior thermal resistance
? 100% Avalanche tested
? Pb-free plating; RoHS compliant
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 BSC196N10NSG,196N10NS,BSC196N10
信息内容：产品型号:BSC196N10NSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):60 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0196 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):78 极间电容Ciss(PF):1700 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：48 温度(℃): -55 ~150 描述:100V,45A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
供应 场效应管 BSC079N03LSCG,079N03LS,BSC079N03
信息内容：型 号：BSC079N03LSCG 标 记: 079N03LS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 50 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=30A, RGS=25Ω ...
