供应 场效应管 BSC196N10NSG,196N10NS,BSC196N10
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC196N10NSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,100V,45A,0.0196Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC196N10NSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):60
漏极电流Id(A):45
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0196 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):78
极间电容Ciss(PF):1700
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：48
温度(℃): -55 ~150
描述:100V,45A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC079N03LSCG,079N03LS,BSC079N03
信息内容：型 号：BSC079N03LSCG 标 记: 079N03LS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 50 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=30A, RGS=25Ω ...
供应 快恢复二极管 LTTH806LF LTTH806
信息内容：产品型号:LTTH806LF 封装:TO-220F-2 反向重复峰值电压VRRM(V):600 反向工作峰值电压VRWM(V):600 反向直流电压VR(V):600 平均整流输出电流IF(A):8 反向电流IR(uA):8 @VR =600V, TJ=25℃ 正向浪涌电流IFSM(A):120 正向直流电压VF(V):1.3 @IF=8A, TJ=25℃ 反向恢复时间trr(ns):70 工作结温Tj(℃): -55 to +150 存储温度Tstg(℃):-55 to +150 应用范围： 描述:600V,8A HYPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER
