价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STB6NK90Z | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
跨导: | 5000(μS) | |
极间电容: | 1350(pF) | |
漏极电流: | 5800(mA) | |
耗散功率: | 140000(mW) |
• VDS=900V
• ID=5.8A
• 导通电阻:R<2Ω
• 总耗散功率:210W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
•封装形式:TO-3P•导通电阻:RDS(ON)=1.0Ω•ID=9A•VDSS=900V•PD=150W•储存温度范围:-55 ~ 150°C•上升时间:25ns•下降时间:20ns
•封装形式:TO-220FULLPAK•导通电阻:RDS(ON)=52mΩ•栅极电荷量:QGD=43nC• 反向恢复时间:Trr=250nS•漏极电流:ID=20A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=100V•工作温度范围:-55 ~ 175°C