价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFI540NPBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4(V) | |
跨导: | 11000(μS) | |
极间电容: | 1400(pF) | |
漏极电流: | 20000(mA) | |
耗散功率: | 54000(mW) |
•封装形式:TO-220FULLPAK
•导通电阻:RDS(ON)=52mΩ
•栅极电荷量:QGD=43nC
• 反向恢复时间:Trr=250nS
•漏极电流:ID=20A @ TC=25°C
•漏源电压:VDSS=100V
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
适用于:开关电源,镇流器,PFC•导通电阻:R≤1.4Ω•ID=5.0A VDS=500V•耗散功率:93W•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:12ns•关断延迟时间:24ns
Features• 19.0A, 200V, RDS(on) = 0.17Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 40.5 nC)• Low Crss ( typical 85 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability