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供应 美格拉(纳)MOS—MDP5N50TH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDP5N50TH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:500(V)
跨导:5000(μS)
极间电容:500(pF)
漏极电流:5000(mA)
耗散功率:93000(mW)

适用于:开关电源,镇流器,PFC

•导通电阻:R≤1.4Ω

•ID=5.0A    VDS=500V

•耗散功率:93W

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•开启延迟时间:12ns

•关断延迟时间:24ns

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
  • 传真:021-39121309
  • 手机:15216657665/18964602998
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Features• 19.0A, 200V, RDS(on) = 0.17Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 40.5 nC)• Low Crss ( typical 85 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability

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