价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDP5N50TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 500(V) | |
跨导: | 5000(μS) | |
极间电容: | 500(pF) | |
漏极电流: | 5000(mA) | |
耗散功率: | 93000(mW) |
适用于:开关电源,镇流器,PFC
•导通电阻:R≤1.4Ω
•ID=5.0A VDS=500V
•耗散功率:93W
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•开启延迟时间:12ns
•关断延迟时间:24ns
Features• 19.0A, 200V, RDS(on) = 0.17Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 40.5 nC)• Low Crss ( typical 85 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability
Features• 5.5A, 800V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 21 nC)• Low Crss ( typical 8 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability•开启延迟时间:26ns•关断延迟时间:47ns•工作温度范围:-55 to 150°C