价 格: | 8.00 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 2SK3878 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 4(V) | |
跨导: | 7000(μS) | |
极间电容: | 2200(pF) | |
漏极电流: | 9000(mA) | |
耗散功率: | 150000(mW) |
•封装形式:TO-3P
•导通电阻:RDS(ON)=1.0Ω
•ID=9A
•VDSS=900V
•PD=150W
•储存温度范围:-55 ~ 150°C
•上升时间:25ns
•下降时间:20ns
•封装形式:TO-220FULLPAK•导通电阻:RDS(ON)=52mΩ•栅极电荷量:QGD=43nC• 反向恢复时间:Trr=250nS•漏极电流:ID=20A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=100V•工作温度范围:-55 ~ 175°C
适用于:开关电源,镇流器,PFC•导通电阻:R≤1.4Ω•ID=5.0A VDS=500V•耗散功率:93W•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:12ns•关断延迟时间:24ns