价 格: | 9.35 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFP360PBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | AM/调幅 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 |
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原装进口,特价现货,大量价格从优以下标准参数只供参考:晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:41A电压, Vds :55V在电阻RDS(上):24mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:83W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:83W功耗:83W器件标记:IRFZ44NPBF封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:49A热阻, 结至外壳 A:1.8°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:55V电压, Vgs :2.1V电流, Idm 脉冲:160A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s"
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 94A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 23 毫欧 @ 56A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 270nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 6040pF @ 25V 功率 - 580W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP90N20DPBF