供应 场效应管 TK7A55D,K7A55D,TK7A55
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK7A55D,TO-220F,DIP/MOS,N场,550V,7A,1.25Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK7A55D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.4
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):700
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162
温度(℃): -55 ~150
描述:550V,7A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK15E60U,K15E60U,TK15E60
信息内容：产品型号:TK15E60U 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):15 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):170 极间电容Ciss(PF):950 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):81 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,15A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK12E60U,TK12E60,K12E60U
信息内容：产品型号:TK12E60U 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):144 极间电容Ciss(PF):720 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：7 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,12A MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
