供应 场效应管 TK12E60U,TK12E60,K12E60U
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK12E60U | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1K/盒 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:TK12E60U
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):144
极间电容Ciss(PF):720
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,12A MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK40A10K3,K40A10K3,TK40A10
信息内容：产品型号:TK40A10K3 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 极间电容Ciss(PF):4000 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：80 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):137 温度(℃): -55 ~150 描述:100V,40A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS Ⅳ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK5A53D,K5A53D,TK5A53
信息内容：产品型号:TK5A53D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):525 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):540 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):158 温度(℃): -55 ~150 描述:525V,5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
