让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>供应 场效应管 TK5A53D,K5A53D,TK5A53

供应 场效应管 TK5A53D,K5A53D,TK5A53

价 格: 面议
型号/规格:TK5A53D,TO-220F,DIP/MOS,N场,525V,5A,1.5Ω
品牌/商标:TOSHIBA(东芝)
封装形式:TO-220F
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:2500/盒

 

产品型号:TK5A53D

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):525

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):5

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.4

功率PD(W):35

极间电容Ciss(PF):540

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):2.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):158

温度(℃): -55 ~150

描述:525V,5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)

 

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
  • 电话:0755-82814431/82814432
  • 传真:0755-83957820
  • 手机:15914096884
  • QQ :QQ:4006262666QQ:2355799086QQ:2355799092
公司相关产品

供应 场效应管 TK3A60DA,K3A60DA,TK3A60

信息内容:

产品型号:TK3A60DA 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):2.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.8 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):30 极间电容Ciss(PF):380 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):1.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,2.5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

详细内容>>

供应 场效应管 TK6A60DA,K6A60DA,TK6A60

信息内容:

产品型号:TK6A60D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 极间电容Ciss(PF):800 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):3 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):173 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,6A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

详细内容>>

相关产品