供应 场效应管 TK6A60DA,K6A60DA,TK6A60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK6A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A, | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:TK6A60D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
极间电容Ciss(PF):800
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):173
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,6A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEK01N6
信息内容：产品型号:CEK01N6 封装:TO-92 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):0.3 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):3.1 极间电容Ciss(PF):140 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：0.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~150 描述:650,0.3A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 CEP07N65
信息内容：产品型号:CEP07N65 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.3 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):166 极间电容Ciss(PF):1460 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~150 描述:650,7A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
