供应 场效应管 CEP07N65
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEP07N65 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1K/盒 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:CEP07N65
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.3 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):166
极间电容Ciss(PF):1460
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~150
描述:650,7A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEU20N06
信息内容：产品型号:CEU20N06 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.055 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):60 极间电容Ciss(PF):890 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：9 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~175 描述:60,20A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK12A55D,K12A55D,TK12A55
信息内容：产品型号:TK12A55D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 极间电容Ciss(PF):1550 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):317 温度(℃): -55 ~150 描述:550V,12A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
