供应 场效应管 CEU20N06
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEU20N06 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:CEU20N06
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):60
极间电容Ciss(PF):890
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：9
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:60,20A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 TK12A55D,K12A55D,TK12A55
信息内容：产品型号:TK12A55D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 极间电容Ciss(PF):1550 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):317 温度(℃): -55 ~150 描述:550V,12A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK6A55DA,K6A55DA,TK6A55
信息内容：产品型号:TK6A55DA 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.48 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):600 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：3.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):182 温度(℃): -55 ~150 描述:550V,5.5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
