供应 场效应管 TK6A55DA,K6A55DA,TK6A55
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK6A55DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,550V,5.5A,1.48Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK6A55DA
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.48 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.4
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):600
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):182
温度(℃): -55 ~150
描述:550V,5.5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC190N15NS3 G,190N15NS
信息内容：产品型号:BSC190N15NS3G 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):150 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):170 漏极电流Id(A):50 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.019 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):125 极间电容Ciss(PF):1820 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：57 温度(℃): -55 ~150 描述:150V,50A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应场效应管 CEF13N5
信息内容：产品型号:CEF13N5 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):13 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.48 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):60 极间电容Ciss(PF):2100 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~175 描述:500V,13A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
