供应 场效应管 BSC190N15NS3 G,190N15NS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC190N15NS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,150V,50A. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC190N15NS3G
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):150
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):170
漏极电流Id(A):50
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.019 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):125
极间电容Ciss(PF):1820
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：57
温度(℃): -55 ~150
描述:150V,50A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应场效应管 CEF13N5
信息内容：产品型号:CEF13N5 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):13 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.48 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):60 极间电容Ciss(PF):2100 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~175 描述:500V,13A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK75A06K3,K75A06K3,TK75A06
信息内容：产品型号:TK75A06K3 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):4500 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):103 温度(℃): -55 ~150 描述:60V,75A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS IV) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
