供应场效应管 CEF13N5
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEF13N5 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1K/盒 |
产品型号:CEF13N5
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):13
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.48 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):60
极间电容Ciss(PF):2100
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:500V,13A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK75A06K3,K75A06K3,TK75A06
信息内容：产品型号:TK75A06K3 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):4500 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):103 温度(℃): -55 ~150 描述:60V,75A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS IV) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK8A55DA,K8A55DA,TK8A55
信息内容：产品型号:TK8A55DA 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.07 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 极间电容Ciss(PF):800 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：3 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):163 温度(℃): -55 ~150 描述:550V,7.5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
