供应 场效应管 TK8A55DA,K8A55DA,TK8A55
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK8A55DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,550V,7.5A,1.07Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:TK8A55DA
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.07 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
极间电容Ciss(PF):800
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):163
温度(℃): -55 ~150
描述:550V,7.5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 IPG20N06S2L-50,2N06L50
信息内容：产品型号:IPG20N06S2L-50 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):60 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):51 极间电容Ciss(PF):430 通道极性:双N 低频跨导gFS(s)： 温度(℃): -55 ~175 描述:55V,20A. Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode OptiMOS Power-Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 CED01N6,CED02N65D,CED02N65
信息内容：产品型号:CED01N6 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):0.9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS =10V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):31 极间电容Ciss(PF):160 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：0.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,0.9A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
