供应 场效应管 IPG20N06S2L-50,2N06L50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IPG20N06S2L-50,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,55V,20A,0.05Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:IPG20N06S2L-50
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):60
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):51
极间电容Ciss(PF):430
通道极性:双N
低频跨导gFS(s)：
温度(℃): -55 ~175
描述:55V,20A. Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode OptiMOS Power-Transistor
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CED01N6,CED02N65D,CED02N65
信息内容：产品型号:CED01N6 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):0.9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS =10V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):31 极间电容Ciss(PF):160 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：0.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,0.9A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FX20ASJ-03F
信息内容：产品型号:FX20ASJ-03F 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.12 @VGS =10V 开启电压VGS(TH)(V):-2.5 功率PD(W):25 极间电容Ciss(PF):500 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~150 描述:-30V,-20A Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
