供应 场效应管 CED01N6,CED02N65D,CED02N65
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CED01N6 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 4K/盒 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:CED01N6
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):0.9
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS =10V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):31
极间电容Ciss(PF):160
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,0.9A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FX20ASJ-03F
信息内容：产品型号:FX20ASJ-03F 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.12 @VGS =10V 开启电压VGS(TH)(V):-2.5 功率PD(W):25 极间电容Ciss(PF):500 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~150 描述:-30V,-20A Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FX20ASJ-06
信息内容：产品型号:FX20ASJ-06 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.097 @VGS =10V 开启电压VGS(TH)(V):-2.3 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):2370 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：10.9 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) 50ns 温度(℃): -55 ~150 描述:60V,-20A Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
