供应 场效应管 FX20ASJ-06
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FX20ASJ-06 | |
| 品牌/商标： | RENESAS（瑞萨） | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:FX20ASJ-06
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.097 @VGS =10V
开启电压VGS(TH)(V):-2.3
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):2370
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：10.9
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) 50ns
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,-20A Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 NDB6030PL,FDB6030PL,NDB6020P
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:NDB6030PL 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 漏极电流Id(A):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 开启电压VGS(TH)(V):-2 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-30V -30A P-Channel MOSFET 产品型号:NDB6020P 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 漏极电流Id(A):-24 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 开启电压VGS(TH)(V):-1 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-20V, -24A P-Channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FQB17P06,SFW2955,17P06
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FQB17P06 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 漏极电流Id(A):-17 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.12 开启电压VGS(TH)(V):-4 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-60V -17A P-Channel MOSFET 产品型号:SFW2955 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 漏极电流Id(A):-9.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 开启电压VGS(TH)(V):-4 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-60V, -9.4A P-Channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
