供应 场效应管 NDB6030PL,FDB6030PL,NDB6020P
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | NDB6030PL | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:NDB6030PL
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
漏极电流Id(A):-30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025
开启电压VGS(TH)(V):-2
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:-30V -30A P-Channel MOSFET
产品型号:NDB6020P
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
漏极电流Id(A):-24
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05
开启电压VGS(TH)(V):-1
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:-20V, -24A P-Channel MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FQB17P06,SFW2955,17P06
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FQB17P06 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 漏极电流Id(A):-17 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.12 开启电压VGS(TH)(V):-4 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-60V -17A P-Channel MOSFET 产品型号:SFW2955 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 漏极电流Id(A):-9.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 开启电压VGS(TH)(V):-4 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-60V, -9.4A P-Channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FQB47P06,FQB27P06
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FQB47P06 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 漏极电流Id(A):-47 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.026 开启电压VGS(TH)(V):-4 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-60V -47A P-Channel MOSFET 产品型号:FQB27P06 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 漏极电流Id(A):-27 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.07 开启电压VGS(TH)(V):-4 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-60V, -27A P-Channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
