供应 场效应管 FQB47P06,FQB27P06
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQB47P06 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FQB47P06
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60
漏极电流Id(A):-47
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.026
开启电压VGS(TH)(V):-4
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:-60V -47A P-Channel MOSFET
产品型号:FQB27P06
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60
漏极电流Id(A):-27
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.07
开启电压VGS(TH)(V):-4
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:-60V, -27A P-Channel MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SFW9640,FQB3P20,3P20
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:SFW9640 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-200 漏极电流Id(A):-11 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.5 开启电压VGS(TH)(V):-4 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-200V -11A P-Channel MOSFET 产品型号:FQB3P20 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-200 漏极电流Id(A):-2.8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.7 开启电压VGS(TH)(V):-5 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-200V, -2.8A P-Channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FQB9P25,FQB4P25,9P25,4P25
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FQB9P25 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-250 漏极电流Id(A):-9.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.62 开启电压VGS(TH)(V):-5 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-250V, -9.4A P-Channel MOSFET 产品型号:FQB4P25 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-250 漏极电流Id(A):-4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.1 开启电压VGS(TH)(V):-5 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:-250V, -4A P-Channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
