供应 场效应管 FQB9P25,FQB4P25,9P25,4P25
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQB9P25 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FQB9P25
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-250
漏极电流Id(A):-9.4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.62
开启电压VGS(TH)(V):-5
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:-250V, -9.4A P-Channel MOSFET
产品型号:FQB4P25
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-250
漏极电流Id(A):-4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.1
开启电压VGS(TH)(V):-5
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:-250V, -4A P-Channel MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FQPF19N20C,FQPF19N20
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FQPF19N20C 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):19 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.17 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):43 极间电容Ciss(PF):1080 低频跨导gFS(s)：10.8 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:200V,19A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FDB8880,FQB60N03L,FQB60N03
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FDB8880 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):54 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0116 开启电压VGS(TH)(V):2.5 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,54 A N-Channel 功率MOSFET 产品型号:FQB60N03L 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):51 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0135 开启电压VGS(TH)(V):3 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,51A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
