供应 场效应管 FQPF19N20C,FQPF19N20
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQPF19N20C,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,19A,0.17Ω | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1K/盒 | |
| 功率特征： | 中功率 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FQPF19N20C
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):19
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.17
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):43
极间电容Ciss(PF):1080
低频跨导gFS(s)：10.8
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150
描述:200V,19A N-Channel 功率MOSFET
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 FDB8880,FQB60N03L,FQB60N03
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FDB8880 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):54 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0116 开启电压VGS(TH)(V):2.5 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,54 A N-Channel 功率MOSFET 产品型号:FQB60N03L 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):51 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0135 开启电压VGS(TH)(V):3 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,51A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FDB6035AL,NDB603AL,FDB6035
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FDB6035AL 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):48 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 开启电压VGS(TH)(V):3 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,48 A N-Channel 功率MOSFET 产品型号:NDB6030AL 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):25 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 开启电压VGS(TH)(V):3 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,25 A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
