供应 场效应管 FDB6035AL,NDB603AL,FDB6035
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDB6035AL | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FDB6035AL
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
漏极电流Id(A):48
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012
开启电压VGS(TH)(V):3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:30V,48 A N-Channel 功率MOSFET
产品型号:NDB6030AL
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
漏极电流Id(A):25
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022
开启电压VGS(TH)(V):3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:30V,25 A N-Channel 功率MOSFET
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 FQPF16N25C，FQPF16N25
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FQPF16N25C Features: • Low gate charge ( typical 41 nC) • Low Crss ( typical 68 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):15.6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.27 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):43 极间电容Ciss(PF):1080 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10.5 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:250V,15.6A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 2SK3607-01MR,K3607
信息内容：型号：2SK3607-01MR 封装：TO-220F 品牌：FUJ 类型：DIP/MOS 极性：N场 电压：200V 电流：18A 内阻：0.17Ω 备注：全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话 MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. Item Symbol Ratings Unit Drain-source voltage VDS 200 V Continuous drain current ID ±18 A Pulsed drain current ID(puls] ±72 A Gate-source voltage VGS ±30 V ...
