供应 场效应管 2SK3607-01MR,K3607
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3607-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，200V，18A，0.17Ω | |
| 品牌/商标： | FUJITSU(富士通) | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1K/盒 | |
| 功率特征： | 中功率 |
型号：2SK3607-01MR
封装：TO-220F
品牌：FUJ
类型：DIP/MOS
极性：N场
电压：200V
电流：18A
内阻：0.17Ω
备注：全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
| Item | Symbol | Ratings | Unit |
| Drain-source voltage | VDS | 200 | V |
| Continuous drain current | ID | ±18 | A |
| Pulsed drain current | ID(puls] | ±72 | A |
| Gate-source voltage | VGS | ±30 | V |
| Non-repetitive Avalanche current | IAS | 18 | A |
| Maximum Avalanche Energy | EAS | 125.5 | mJ |
| Maximum Drain-Source dV/dt | dVDS/dt | 20 | kV/µs |
| Peak Diode Recovery dV/dt | dV/dt | 5 | kV/µs |
| Item | Symbol | Test Conditions | Ratings | Unit |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | ID=250µA VDS=VGS | 3-5 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | ID=6.5A VGS=10V | 170 | m? |
| Input capacitance | Ciss | VDS=75V | 1155 | pF |
| Output capacitance | Coss | VGS=0V | 165 | pF |
| Reverse transfer capacitance | Crss | f=1MHz | 7.5 | pF |
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应三极管 APT13005TF-G1,APT13005
信息内容：APT13005TF-G1,TO-220F,DIP/三极管,NPN,450V,4A VCBO:700V VCEO:450V 集电极允许电流IC(A):4 极性:NPN Parameter Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage (VBE=0) VCES 700 V Collector-Emitter Voltage (IB=0) VCES 450 V Emitter-Base Breakdown Voltage (IC=0) VEBO 9 V Collector Current IC 4 A Collector Peak Current ICM 8 A Base Current IB 2 A Base Peak Current IBM 4 A Power Dissipation, T...
供应 场效应管 STP75NF68 ， 75NF68
信息内容：STP75NF68,TO-220,DIP/MOS,N场,68V,80A,0.014Ω Application ■ DC-DC converters （DC - DC转换器） ■ Switching applications （开关应用） ■ Motor Control（电机控制） Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250µA 68 V Continuous drain current ID TC=25℃ 80 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 320 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 190 W Gate source voltage VGS ...
