供应 场效应管 FQPF16N25C，FQPF16N25
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQPF16N25C,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,15.6A,0.27Ω | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1K/盒 | |
| 功率特征： | 中功率 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FQPF16N25C
Features:
• Low gate charge ( typical 41 nC)
• Low Crss ( typical 68 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):15.6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.27 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):43
极间电容Ciss(PF):1080
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10.5
封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150
描述:250V,15.6A N-Channel 功率MOSFET
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供应 场效应管 2SK3607-01MR,K3607
信息内容：型号：2SK3607-01MR 封装：TO-220F 品牌：FUJ 类型：DIP/MOS 极性：N场 电压：200V 电流：18A 内阻：0.17Ω 备注：全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话 MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. Item Symbol Ratings Unit Drain-source voltage VDS 200 V Continuous drain current ID ±18 A Pulsed drain current ID(puls] ±72 A Gate-source voltage VGS ±30 V ...
供应三极管 APT13005TF-G1,APT13005
信息内容：APT13005TF-G1,TO-220F,DIP/三极管,NPN,450V,4A VCBO:700V VCEO:450V 集电极允许电流IC(A):4 极性:NPN Parameter Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage (VBE=0) VCES 700 V Collector-Emitter Voltage (IB=0) VCES 450 V Emitter-Base Breakdown Voltage (IC=0) VEBO 9 V Collector Current IC 4 A Collector Peak Current ICM 8 A Base Current IB 2 A Base Peak Current IBM 4 A Power Dissipation, T...
