供应 场效应管 FDB8880,FQB60N03L,FQB60N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDB8880 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FDB8880
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
漏极电流Id(A):54
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0116
开启电压VGS(TH)(V):2.5
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:30V,54 A N-Channel 功率MOSFET
产品型号:FQB60N03L
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
漏极电流Id(A):51
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0135
开启电压VGS(TH)(V):3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:30V,51A N-Channel 功率MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FDB6035AL,NDB603AL,FDB6035
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FDB6035AL 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):48 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 开启电压VGS(TH)(V):3 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,48 A N-Channel 功率MOSFET 产品型号:NDB6030AL 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 漏极电流Id(A):25 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 开启电压VGS(TH)(V):3 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150 描述:30V,25 A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FQPF16N25C，FQPF16N25
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FQPF16N25C Features: • Low gate charge ( typical 41 nC) • Low Crss ( typical 68 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):15.6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.27 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):43 极间电容Ciss(PF):1080 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10.5 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:250V,15.6A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
