供应 场效应管 CEU4204
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEU4204 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:CEU4204
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):24
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.03 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):31
极间电容Ciss(PF):1050
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~150
描述:40,24A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 FDPF13N50NZ,FDPF13N50
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FDPF13N50NZ Features: •RDS(on) = 0.46 ( Typ. ) @ VGS =10V, ID=5.75A • Low gate charge ( Typ. 23nC ) • Low Crss ( Typ. 14pF ) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS compliant 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):13 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.52@VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):42 极间电容Ciss(PF):945 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：12 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:500V,13A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK7A55D,K7A55D,TK7A55
信息内容：产品型号:TK7A55D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):700 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：3.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162 温度(℃): -55 ~150 描述:550V,7A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
