供应 场效应管 FDPF13N50NZ,FDPF13N50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDPF13N50NZ | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1K/盒 | |
| 功率特征： | 大功率 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FDPF13N50NZ
Features:
•RDS(on) = 0.46 ( Typ. ) @ VGS =10V, ID=5.75A
• Low gate charge ( Typ. 23nC )
• Low Crss ( Typ. 14pF )
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• RoHS compliant
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):13
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.52@VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):42
极间电容Ciss(PF):945
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：12
封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150
描述:500V,13A N-Channel 功率MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK7A55D,K7A55D,TK7A55
信息内容：产品型号:TK7A55D 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):700 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：3.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162 温度(℃): -55 ~150 描述:550V,7A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK15E60U,K15E60U,TK15E60
信息内容：产品型号:TK15E60U 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):15 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):170 极间电容Ciss(PF):950 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):81 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,15A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ) (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
