供应 IC 芯片IRFP90N20D原装进口
| 价 格： | 16.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFP90N20D | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 94A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 23 毫欧 @ 56A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 270nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6040pF @ 25V
功率 - 580W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFP90N20DPBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
- 电话：
- 传真：
- 手机：
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供应 场效应管IRFR9220原装进口
信息内容：IRFR9220 类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.6A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.5 欧姆 @ 2.2A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 340pF @ 25V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 供应商设备封装 D-Pak 包装 管件"
供应 IC 芯片IRL2203NPBF原装进口
信息内容：数据列表 IRL2203NPbF 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 116A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 7 毫欧 @ 60A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 1V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3290pF @ 25V 功率 - 180W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRL2203NPBF
