供应 IC 芯片IRL2203NPBF原装进口
| 价 格： | 5.20 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRL2203NPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MIX/混频 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | SIT静电感应 |
数据列表 IRL2203NPbF
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 116A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 7 毫欧 @ 60A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3290pF @ 25V
功率 - 180W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRL2203NPBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应 场效应管IRFP4568原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 150V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 171A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 5.9 毫欧 @ 103A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 227nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 10470pF @ 50V 功率 - 517W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 管件 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)"
供应 场效应管IRFP064N原装进口
信息内容：IRFP064N 类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 110A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 8 毫欧 @ 59A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 4000pF @ 25V 功率 - 200W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF) 深圳市耿城科技有限公司主营：全世界各品牌IC，二三极，电容电阻，各种电子元件。 苏生：MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240 因IC产品数万种型号，无法一一提供图片以及价格，所以请咨询客服人员、谢谢 具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。 新品陆续上架，敬请期待
