供应 场效应管IRFP064N原装进口
| 价 格： | 6.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFP064N | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | CHOP/斩波、限幅 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
IRFP064N
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 110A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 8 毫欧 @ 59A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4000pF @ 25V
功率 - 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)
深圳市耿城科技有限公司
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 IC 芯片IRLML2402TRPBF原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.2A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 250 毫欧 @ 930mA, 4.5V Id 时的 Vgs(th)（） 700mV @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 110pF @ 15V 功率 - 540mW 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装 Micro3™/SOT-23 包装 剪切带 (CT) 其它名称 *IRLML2402TRIRLML2402IRLML2402-ND
供应 IC 芯片IRF740原装进口
信息内容：IRF740 PDF 文档链接：http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/67495/INTERSIL/IRF740.html晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:10A电压, Vds :400V在电阻RDS（上）:550mohm功耗, Pd:125W封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:125W功耗:125W单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ器件标记:IRF740封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:125W时间, trr 典型值:370ns晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电容值, Ciss 典型值:1400pF电流, Idm 脉冲:40A通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:550mohm针脚格式:1G, (2 Tab)D, 3S针脚配置:a阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V
