供应 IC 芯片IRF740原装进口
| 价 格： | 1.68 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF740 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
IRF740 PDF 文档链接：
http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/67495/INTERSIL/IRF740.html
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:10A
- 电压, Vds :400V
- 在电阻RDS（上）:550mohm
- 功耗, Pd:125W
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
- 功率, Pd:125W
- 功耗:125W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ
- 器件标记:IRF740
- 封装类型:TO-220
- 封装类型, 替代:SOT-78B
- 引脚节距:2.54mm
- 总功率, Ptot:125W
- 时间, trr 典型值:370ns
- 晶体管数:1
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电容值, Ciss 典型值:1400pF
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:550mohm
- 针脚格式:1G, (2 Tab)D, 3S
- 针脚配置:a
- 阈值电压, Vgs th :2V
- 阈值电压, Vgs th :4V
结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 900V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.3 欧姆 @ 3A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1770pF @ 25V 功率 - 167W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220 包装 管件 产品目录页面 1608 (CN2011-ZH PDF)
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信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 阵列系列 HEXFET®FET 型 2 个 N 沟道（双） FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.2A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 50 毫欧 @ 2.6A, 4.5V Id 时的 Vgs(th)（） 700mV @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 660pF @ 15V 功率 - 2W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） 供应商设备封装 8-SO 包装 管件"
