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供应 IC 芯片IRF730原装进口

价 格: 1.68
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF730
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-FBM/全桥组件
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:ALGaAS铝镓砷

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 HEXFET®
FET 型 2 个 N 沟道(双)
 
FET 特点 逻辑电平门
 
漏极至源极电压(Vdss) 20V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.2A
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 50 毫欧 @ 2.6A, 4.5V
 
Id 时的 Vgs(th)() 700mV @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 4.5V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 660pF @ 15V
 
功率 - 2W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
 
供应商设备封装 8-SO
 
包装 管件

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结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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供应 IC 芯片IRF9530N原装进口

信息内容:

IRF9530N 晶体管极性:P通道电流, Id 连续:13A电????, Vds :100V在电阻RDS(上):200mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:75W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:75W功耗:75W器件标记:IRF9530N封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:-14A热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds:100V电压, Vds 典型值:-100V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:52A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a

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信息内容:

IRFB4227 类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 65A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 24 毫欧 @ 46A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 98nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 4600pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件

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