价 格: | 1.68 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF730 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 HEXFET®
FET 型 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.2A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 50 毫欧 @ 2.6A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)() 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 660pF @ 15V
功率 - 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SO
包装 管件
IRF9530N 晶体管极性:P通道电流, Id 连续:13A电????, Vds :100V在电阻RDS(上):200mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:75W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:75W功耗:75W器件标记:IRF9530N封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:-14A热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds:100V电压, Vds 典型值:-100V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:52A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a
IRFB4227 类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 65A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 24 毫欧 @ 46A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 98nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 4600pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件