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供应 IC 芯片IRF9530N原装进口

价 格: 1.60
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF9530N
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:CC/恒流
封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载
材料:GaAS-FET砷化镓

IRF9530N

 

  • 晶体管极性:P通道
  • 电流, Id 连续:13A
  • 电????, Vds :100V
  • 在电阻RDS(上):200mohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-4V
  • 功耗, Pd:75W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
  • 功率, Pd:75W
  • 功耗:75W
  • 器件标记:IRF9530N
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极电流, Id 值:-14A
  • 热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds:100V
  • 电压, Vds 典型值:-100V
  • 电压, Vgs :-4V
  • 电流, Idm 脉冲:52A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚格式:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • 针脚配置:a

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:
  • QQ :
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供应 场效应管IRFB4227PBF原装进口

信息内容:

IRFB4227 类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 65A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 24 毫欧 @ 46A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 98nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 4600pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件

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供应 场效应管IRF9540NS TO-263原装进口

信息内容:

场效应管 MOSFET P D2-PAK晶体管极性:P通道电流, Id 连续:23A电压, Vds :100V在电阻RDS(上):117mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:140W封装类型:D2-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)SMD标号:IRF9540NS功率, Pd:140W功耗:140W功耗(于1平方英寸PCB):3.8W封装类型:D2-PAK封装类型, 替代:D2-PAK温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:-23A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:100V电压, Vds 典型值:100V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:27A表面安装器件:表面安装"

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