价 格: | 3.60 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF9540NS TO-263 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | P沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-P-FET锗P沟道 |
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 9.6A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2600pF @ 25V 功率 - 190W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP350PBF 深圳市耿城科技有限公司主营:全世界各品牌IC,二三极,电容电阻,各种电子元件。 苏生:MOB:13510584887 TEL:086-0755-83583860 FAX:086-0755-82861606 QQ:530979910 / 1178565240 因IC产品数万种型号,无法一一提供图片以及价格,所以请咨询客服人员、谢谢 具体价格及货物样品请咨询本店客服人员。 新品陆续上架,敬请期待
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 57A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 23 毫欧 @ 28A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3130pF @ 25V 功率 - 200W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF3710SPBF